稳压二极管BZT52C2V4S-BZT52C75S
| 价 格： | 0.15 |
| 产品类型 | 稳压管 | 品牌/商标 | 国产 |
| 型号/规格 | BZT52C2V4S-BZT52C75S | 结构 | 点接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 中功率 |
| 频率特性 | 高频 | 出光面特征 | 微型管 |
| 发光强度角分布 | 标准型 | 反向电压VR | 2.4（V） |
| 正向直流电流IF | 0（A） |
| BZT52C2V0S - BZT52C39S |
| 31-SOD-323 |
| Wire Change 16/Sept/2008 Encapsulate Change 29/Aug/2008 |
| SOD-323 200mW Side 2 SOD-323 200mW Top SOD-323 200mW Side 1 |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 单二极管/齐纳 |
| - |
| 2.4V |
| 900mV @ 10mA |
| 50µA @ 1V |
| ±8.33% |
| 200mW |
| 100 欧姆 |
| 表面贴装 |
| SOD-323 |
| SOD-323 |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管SI2315DS
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI2315DS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 SB肖特基势垒栅 开启电压 12（V） 夹断电压 6（V） SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET数据列表SI2315BDS产品相片SOT-23-3产品目录绘图SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323标准包装1类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列TrenchFET®FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 3.85A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)12V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3AId 时的 Vgs(th)（）900mV @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)715pF @ 6V功率 - 750mW安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59...
N沟MOSF管IRF530NS
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF530NS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 100（V） 夹断电压 4（V） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRF530N(S,L)PbF产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR Hexfet D2PAK标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 9A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs37nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)920pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
