品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | MMBTA05 |
应用范围 | 放大 | 极性 | PNP型 |
击穿电压VCBO | 62(V) | 集电极允许电流ICM | 0(A) |
集电极耗散功率PCM | 0(W) | 截止频率fT | 100(MHz) |
结构 | 面接触型 | 封装形式 | 贴片型 |
封装材料 | 塑料封装 |
产品类型 稳压管 品牌/商标 国产 型号/规格 BZT52C2V4S-BZT52C75S 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 中功率 频率特性 高频 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 2.4(V) 正向直流电流IF 0(A) 数据列表BZT52C2V0S - BZT52C39S产品相片31-SOD-323产品变化通告Wire Change 16/Sept/2008Encapsulate Change 29/Aug/2008产品目录绘图SOD-323 200mW Side 2SOD-323 200mW TopSOD-323 200mW Side 1标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭单二极管/齐纳系列-电压 - 齐纳(标称)(Vz)2.4V电压 - 在 If 时为正向 (Vf)()900m...
品牌/商标 其他 型号/规格 SI2315DS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 SB肖特基势垒栅 开启电压 12(V) 夹断电压 6(V) SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET数据列表SI2315BDS产品相片SOT-23-3产品目录绘图SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323标准包装1类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列TrenchFET®FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 3.85A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)12V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3AId 时的 Vgs(th)()900mV @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)715pF @ 6V功率 - 750mW安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59...