品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF3808 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 75(V) | 夹断电压 | 75(V) |
极间电容 | 10(pF) | 低频噪声系数 | 10(dB) |
漏极电流 | 1400(mA) | 耗散功率 | 330(mW) |
品牌/商标 MIC 型号/规格 1N5819 产品类型 肖特基管 结构 点接触型 材料 锗(Ge) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 功率特性 小功率 频率特性 低频 发光颜色 电压控制 LED封装 无色透明封装(T) 出光面特征 圆灯 发光强度角分布 标准型 正向直流电流IF 1(A) 反向电压 1000(V) 規格書1N5817 - 19產品相片DO-411N5819產品目錄繪圖DO-41, DO-35, DO-201標準包裝5,000類別離散半導體產品家庭二極體,整流器 - 單系列-電壓 - If時的正向(Vf)(值)600mV @ 1A電壓 - 反向(Vr)(值)40V電流 - 整流平均值...
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFBE30PBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 800(V) 夹断电压 800(V) 极间电容 10(pF) 低频噪声系数 10(dB) 漏极电流 4.1A(mA) 耗散功率 102(mW)