1N5819 1N5817 DO-41 全铜脚
| 价 格： | 0.05 |
| 品牌/商标 | MIC | 型号/规格 | 1N5819 |
| 产品类型 | 肖特基管 | 结构 | 点接触型 |
| 材料 | 锗(Ge) | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 小功率 |
| 频率特性 | 低频 | 发光颜色 | 电压控制 |
| LED封装 | 无色透明封装(T) | 出光面特征 | 圆灯 |
| 发光强度角分布 | 标准型 | 正向直流电流IF | 1（A） |
| 反向电压 | 1000（V） |
| 1N5817 - 19 |
| DO-41 1N5819 |
| DO-41, DO-35, DO-201 |
| 5,000 |
| 離散半導體產品 |
| 二極體，整流器 - 單 |
| - |
| 600mV @ 1A |
| 40V |
| 1A |
| 500µA @ 40V |
| 肖特基 |
| 快速恢復 =< 500 ns，> 200mA (Io) |
| - |
| 110pF @ 4V, 1MHz |
| 通孔 |
| DO-204AL, DO-41, 軸向 |
| 編帶和捲軸封裝(TR) |
| DO-41 |
| 1N5819TR 1N5819TR-ND |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 古苏波
- 电话：755-88878818
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IRFBE30PBF IRFBE30 BE30 全新原装VISHAY公司 TO-220
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFBE30PBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 800（V） 夹断电压 800（V） 极间电容 10（pF） 低频噪声系数 10（dB） 漏极电流 4.1A（mA） 耗散功率 102（mW）
IRL540N IRF540N MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB 原装
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRL540NPBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 TC/小型器件标志 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 100（V） 低频跨导 10（μS） 极间电容 10（pF） 低频噪声系数 10（dB） 漏极电流 3600（mA） 耗散功率 1（mW） 規格書IRL540NPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET，GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET N通道，金屬氧化...
