品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFBE30PBF |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 800(V) | 夹断电压 | 800(V) |
极间电容 | 10(pF) | 低频噪声系数 | 10(dB) |
漏极电流 | 4.1A(mA) | 耗散功率 | 102(mW) |
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRL540NPBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 TC/小型器件标志 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 100(V) 夹断电压 100(V) 低频跨导 10(μS) 极间电容 10(pF) 低频噪声系数 10(dB) 漏极电流 3600(mA) 耗散功率 1(mW) 規格書IRL540NPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET,GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金屬氧化...
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFB4110PBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 100(V) 夹断电压 100(V) 极间电容 10(pF) 低频噪声系数 10(dB) 漏极电流 1200(mA) 耗散功率 1000(mW) 規格書IRFB4110PbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET,GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點邏輯電平閘極開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C4.5 毫歐姆 ...