高压MOSFET FQPF6N60C/FQPF6N60/6N60
| 价 格： | 2.00 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | FQPF6N60C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2-4（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 低频跨导 | 4.8S（μS） |
| 漏极电流 | 5.5A（mA） | 耗散功率 | 40W（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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原装ST场效应管 STP4NK60ZFP/STP4NK60/P4NK60/4N60
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP4NK60ZFP 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 3-4.5（V） 夹断电压 0（V） 跨导 3S（μS） 漏极电流 4A（mA） 耗散功率 25W（mW）
MOS管 IRF740
信息内容：品牌/商标 VISHAY 型号/规格 IRF740 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 跨导 5.8S（μS） 漏极电流 10A（mA） 耗散功率 125W（mW） 描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:10A电压, Vds :400V在电阻RDS（上）:550mohm封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:125W功耗:125W单脉冲雪崩能量 Eas:520mJ器件标记:IRF740封装类型:TO-220封装类型, 替代:SOT-78B引脚节距:2.54mm总功率, Ptot:125W时间, trr 典型值:370ns晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电容值, Ciss 典型值:...
