MOS管 IRF740
| 价 格： | 2.00 |
| 品牌/商标 | VISHAY | 型号/规格 | IRF740 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2-4（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 跨导 | 5.8S（μS） |
| 漏极电流 | 10A（mA） | 耗散功率 | 125W（mW） |
描述
- 晶体管极性:N沟道
- 电流, Id 连续:10A
- 电压, Vds :400V
- 在电阻RDS（上）:550mohm
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
- 功率, Pd:125W
- 功耗:125W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:520mJ
- 器件标记:IRF740
- 封装类型:TO-220
- 封装类型, 替代:SOT-78B
- 引脚节距:2.54mm
- 总功率, Ptot:125W
- 时间, trr 典型值:370ns
- 晶体管数:1
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电容值, Ciss 典型值:1400pF
- 电流, Idm 脉冲:40A
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:550mohm
- 针脚格式:1G, (2+Tab)D, 3S
- 针脚配置:a
- 阈值电压, Vgs th :2V
- 阈值电压, Vgs th :4V
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
- 传真：755-83200113
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直插场效应管 IRF840
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF840PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 跨导 4.9（μS） 漏极电流 8A（mA） 耗散功率 125W（mW） 描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:8A电压, Vds :500V在电阻RDS（上）:850mohm安装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:125W功耗:125W单脉冲雪崩能量 Eas:520mJ封装类型:TO-220 (SOT-78B)封装类型, 替代:SOT-78B引脚节距:2.54mm总功率, Ptot:125W时间, trr 典型值:384ns晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电容值, Cis...
双向可控硅 BTA12-600BRG/BTA12-600B/BTA12-600/BTA12
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 BTA12-600BRG 控制方式 双向 极数 三极 封装材料 树脂封装 散热功能 带散热片 功率特性 中功率 额定正向平均电流 12（A） 控制极触发电流 10-50（mA） 稳定工作电流 12（A） 反向重复峰值电压 800（V）
