品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | STP4NK60ZFP |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 3-4.5(V) |
夹断电压 | 0(V) | 跨导 | 3S(μS) |
漏极电流 | 4A(mA) | 耗散功率 | 25W(mW) |
品牌/商标 VISHAY 型号/规格 IRF740 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4(V) 夹断电压 0(V) 跨导 5.8S(μS) 漏极电流 10A(mA) 耗散功率 125W(mW) 描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:10A电压, Vds :400V在电阻RDS(上):550mohm封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:125W功耗:125W单脉冲雪崩能量 Eas:520mJ器件标记:IRF740封装类型:TO-220封装类型, 替代:SOT-78B引脚节距:2.54mm总功率, Ptot:125W时间, trr 典型值:370ns晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电容值, Ciss 典型值:...
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF840PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4(V) 夹断电压 0(V) 跨导 4.9(μS) 漏极电流 8A(mA) 耗散功率 125W(mW) 描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:8A电压, Vds :500V在电阻RDS(上):850mohm安装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:125W功耗:125W单脉冲雪崩能量 Eas:520mJ封装类型:TO-220 (SOT-78B)封装类型, 替代:SOT-78B引脚节距:2.54mm总功率, Ptot:125W时间, trr 典型值:384ns晶体管数:1温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电容值, Cis...