FQPF12N60C原装·TO-220放大三极管
| 价 格： | 8.00 |
| 品牌/商标 | FairChild仙童 | 型号/规格 | FQPF12N60C |
| 应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | PNP型 | 击穿电压VCBO | 600（V） |
| 集电极允许电流ICM | 12（A） | 集电极耗散功率PCM | 51（W） |
| 结构 | 点接触型 | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 塑料封装 |
| FQP12N60C, FQPF12N60C |
| TO-220AB |
| High Voltage Switches for Power Processing |
| Passivation Material Change 14/May/2008 |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| QFET™ |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 650 毫欧 @ 6A, 10V |
| 600V |
| 12A |
| 4V @ 250µA |
| 63nC @ 10V |
| 2290pF @ 25V |
| 51W |
| 通孔 |
| TO-220-3 整包 |
| 管件 |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRFZ34VS
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFZ34VS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 60（V） 夹断电压 4（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRFZ34VSPbF, IRFZ34VLPbF产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR Hexfet D2PAK标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 18A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250&mi...
MMDT2222A放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMDT2222A 应用范围 放大 极性 NPN型 击穿电压VCBO 40（V） 截止频率fT 300（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 数据列表MMDT2222A产品相片SOT-363 PKG产品变化通告Encapsulate Change 09/July/2007Wire Change 16/Sept/2008其它图纸SOT-363 Package TopSOT-363 Package Side 1SOT-363 Package Side 2标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 阵列系列-晶体管类型2 NPN（双）电流 - 集电极 (Ic)（）600mA电压 - 集电极发射极击穿（）40VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）1V @ 50mA, 500mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA, 10V功率 - 200mW频率 - 转换300MHz安装类型表面贴装封装/外壳6-TSSOP, SC-88, SOT-363供应商设备封...
