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FQPF12N60C原装·TO-220放大三极管
信息内容：品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 FQPF12N60C 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 600（V） 集电极允许电流ICM 12（A） 集电极耗散功率PCM 51（W） 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 数据列表FQP12N60C, FQPF12N60C产品相片TO-220AB产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Passivation Material Change 14/May/2008标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列QFET™FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C650 毫欧 @ 6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA...
N沟MOSF管IRFZ34VS
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFZ34VS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 60（V） 夹断电压 4（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRFZ34VSPbF, IRFZ34VLPbF产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR Hexfet D2PAK标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 18A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250&mi...
