品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | IRFR3410 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 100(V) | 夹断电压 | 100(V) |
极间电容 | 1690(pF) | 漏极电流 | 3100(mA) |
耗散功率 | 3000(mW) |
品牌/商标 MICROCHIP 型号/规格 PIC12F629-I/P 封装 DIP8 批号 10+ 类型 单片机
品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 FQPF12N60C 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 600(V) 集电极允许电流ICM 12(A) 集电极耗散功率PCM 51(W) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 数据列表FQP12N60C, FQPF12N60C产品相片TO-220AB产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Passivation Material Change 14/May/2008标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列QFET™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C650 毫欧 @ 6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA...