品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF9540NS |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 100(V) | 夹断电压 | 100(V) |
跨导 | 40(μS) | 极间电容 | 4(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 330(mA) |
耗散功率 | 410(mW) |
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF1407PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 75(V) 夹断电压 75(V) 跨导 10(μS) 极间电容 10(pF) 低频噪声系数 10(dB) 漏极电流 140(mA) 耗散功率 330(mW) 規格書IRF1407PbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET,GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金屬氧化...
品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRF540NPBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MAP/匹配对管 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 MES金属半导体 开启电压 120(V) 夹断电压 52(V) 极间电容 51(pF) 低频噪声系数 21(dB) 漏极电流 5(mA) 耗散功率 21(mW) 規格書IRF540NPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET,GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點標準開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C44 毫歐姆 @ 16A, 10V漏極至源極的...