IRF1407耗尽型MOS管N沟道
| 价 格： | 3.85 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF1407PBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 75（V） | 夹断电压 | 75（V） |
| 跨导 | 10（μS） | 极间电容 | 10（pF） |
| 低频噪声系数 | 10（dB） | 漏极电流 | 140（mA） |
| 耗散功率 | 330（mW） |
| IRF1407PbF |
| TO-220AB Pkg |
| IR Hexfet TO-220AB |
| 50 |
| 離散半導體產品 |
| MOSFET，GaNFET - 單 |
| HEXFET® |
| MOSFET N通道，金屬氧化物 |
| 標準 |
| 7.8 毫歐姆 @ 78A, 10V |
| 75V |
| 130A |
| 4V @ 250µA |
| 250nC @ 10V |
| 5600pF @ 25V |
| 330W |
| 通孔 |
| TO-220-3 |
| 管裝 |
| TO-220AB |
| *IRF1407PBF |
- 所属城市：广东 深圳
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N-MOS IRF540NPBF结型场效应管N沟道
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRF540NPBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MAP/匹配对管 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 MES金属半导体 开启电压 120（V） 夹断电压 52（V） 极间电容 51（pF） 低频噪声系数 21（dB） 漏极电流 5（mA） 耗散功率 21（mW） 規格書IRF540NPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET，GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET N通道，金屬氧化物FET特點標準開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C44 毫歐姆 @ 16A, 10V漏極至源極的...
FQPF5N60C半导体产品
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