品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | IRF540NPBF |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MAP/匹配对管 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | MES金属半导体 |
开启电压 | 120(V) | 夹断电压 | 52(V) |
极间电容 | 51(pF) | 低频噪声系数 | 21(dB) |
漏极电流 | 5(mA) | 耗散功率 | 21(mW) |
IRF540NPbF |
TO-220AB Pkg |
IR Hexfet TO-220AB |
50 |
離散半導體產品 |
MOSFET,GaNFET - 單 |
HEXFET® |
MOSFET N通道,金屬氧化物 |
標準 |
44 毫歐姆 @ 16A, 10V |
100V |
33A |
4V @ 250µA |
71nC @ 10V |
1960pF @ 25V |
130W |
通孔 |
TO-220-3 |
管裝 |
TO-220AB |
*IRF540NPBF |
类型 稳压IC 品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQPF5N60C 封装 TO-220F 批号 2010+
品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 TIP31C 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 100(V) 集电极允许电流ICM 3(A) 集电极耗散功率PCM 2(W) 截止频率fT 3(MHz) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 規格書TIP31C產品相片TO-220-3 Pkg產品變化通告Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007產品目錄繪圖Transistor TO-220(AB)標準包裝200類別離散半導體產品家庭電晶體(BJT) - 單路系列-電晶體類型NPN電流 - 集電極(Ic)(值)3A電壓 - 集電極發射極擊穿(值)100V在Ib、Ic條件下的Vce飽和度()1.2V @ 375mA, 3A電流 - 集電極切斷(值)300µAIc,Vce時的DC電流增益(hFE)(最小值)10 ...