场效应管 IXFH26N50Q 原装进口
| 价 格： | 20.00 |
| 种类 | 场效应管 | 品牌/商标 | IXYS |
| 型号/规格 | IXFH26N50Q |
- 晶体管极性:ñ频道
- 电流, Id 连续:26A
- 电压, Vds :500V
- 在电阻RDS（上）:200mohm
- 电压 @ Rds???量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 封装类型:TO-247
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:95nC
- 功率, Pd:300W
- 功耗:300W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J
- 封装类型:TO-247
- 时间, trr 典型值:250ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:
- 重复雪崩能量 Ear:30mJ
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 漏极电流, Id 值:26A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电压, Vgs :4V
- 电压变化率 dv/dt:5V/µs
- 电流, Idm 脉冲:104A
- 结温, Tj :-55°C
- 结温, Tj :150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on :200mohm
- 重量:6g
- 阈值电压, Vgs th :4.5V
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- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 赵远明
- 电话：0755-82723789
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269-3耗尽型MOS管N沟道
信息内容：品牌/商标 ON 型号/规格 269-3 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 本商行代理经销系列大小功率二三极管.场效应管.集成电路.SMD贴片元件.IGBT.电源模块．可控硅．MOS管.基准电源．军工高精密电子元器件．并可为您提供各种电子元器件配套服务.经营的主要品牌包括 ：SILICONI....
IRFS23N20D 场效应管 MOSFET N D2-PAK 200V 24A
信息内容：种类 场效应管 品牌/商标 IR 型号/规格 IRFS23N20D IRFS23N20D 原装现货 详见PDF WWW.SJCX-IC.COM晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:24A电压, Vds :200V在电阻RDS（上）:100mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V封装类型:D2-PAK针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)SMD标号:FS23N20D功率, Pd:3.8W功耗:3.8W功耗(于1平方英寸PCB):3.8W封装类型:D2-PAK封装类型, 替代:D2-PAK总功率, Ptot:38W晶体管类型:漏极电流, Id 值:24A热阻, 结至外壳 A:0.9°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:200V电压, Vds 典型值:200V电压, Vgs :5.5V电流, Idm 脉冲:96A表面安装器件:表面安装阈值电压, Vgs th :5.5V
