品牌/商标 | FairChild仙童 | 型号/规格 | BU406TU |
应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | 200(V) |
集电极允许电流ICM | 7(A) | 集电极耗散功率PCM | 60(W) |
截止频率fT | 10(MHz) | 结构 | 面接触型 |
封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 塑料封装 |
BU406(H), 408 |
TO-220-3 Pkg |
Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007 |
Transistor TO-220(AB) |
200 |
分离式半导体产品 |
晶体管(BJT) - 单路 |
- |
NPN |
7A |
200V |
1V @ 500mA, 5A |
5mA |
- |
60W |
10MHz |
通孔 |
TO-220-3 |
散装 |
TO-220 |
1551 (CN2010-11 Interactive) 1551 (CN2010-11 PDF) |
BU406-ND BU406FS |
品牌/商标 STI美国半导体技术 型号/规格 STP55NF06 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 D/变频换流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55(V) 夹断电压 55(V) 低频跨导 21(μS) 极间电容 25(pF) 低频噪声系数 26(dB) 漏极电流 600(mA) 耗散功率 1250(mW)
品牌/商标 InterFET美国 型号/规格 IRFP264PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 D/变频换流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 250V(V) 夹断电压 5(V) 跨导 2.3(μS) 极间电容 120(pF) 低频噪声系数 250(dB) 漏极电流 38A(mA) 耗散功率 28W(mW) 数据列表IRFP264产品相片TO-247AC Pkg产品目录绘图IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2标准包装500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧...