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STP55NF06 P55NF06 全新原装ST公司TO-220 55A60V

价 格: 1.45

品牌/商标 STI美国半导体技术 型号/规格 STP55NF06
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 D/变频换流
封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 55(V) 夹断电压 55(V)
低频跨导 21(μS) 极间电容 25(pF)
低频噪声系数 26(dB) 漏极电流 600(mA)
耗散功率 1250(mW)

深圳市长亮源科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 古苏波
  • 电话:755-88878818
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信息内容:

品牌/商标 InterFET美国 型号/规格 IRFP264PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 D/变频换流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 250V(V) 夹断电压 5(V) 跨导 2.3(μS) 极间电容 120(pF) 低频噪声系数 250(dB) 漏极电流 38A(mA) 耗散功率 28W(mW) 数据列表IRFP264产品相片TO-247AC Pkg产品目录绘图IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2标准包装500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧...

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品牌/商标 ST 型号/规格 STP75NF75 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 75(V) 夹断电压 757(V) 低频跨导 75(μS) 极间电容 75(pF) 低频噪声系数 75(dB) 漏极电流 75(mA) 耗散功率 12300(mW)

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