品牌/商标 | STI美国半导体技术 | 型号/规格 | STP55NF06 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | D/变频换流 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 55(V) | 夹断电压 | 55(V) |
低频跨导 | 21(μS) | 极间电容 | 25(pF) |
低频噪声系数 | 26(dB) | 漏极电流 | 600(mA) |
耗散功率 | 1250(mW) |
品牌/商标 InterFET美国 型号/规格 IRFP264PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 D/变频换流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 250V(V) 夹断电压 5(V) 跨导 2.3(μS) 极间电容 120(pF) 低频噪声系数 250(dB) 漏极电流 38A(mA) 耗散功率 28W(mW) 数据列表IRFP264产品相片TO-247AC Pkg产品目录绘图IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2标准包装500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧...
品牌/商标 ST 型号/规格 STP75NF75 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 75(V) 夹断电压 757(V) 低频跨导 75(μS) 极间电容 75(pF) 低频噪声系数 75(dB) 漏极电流 75(mA) 耗散功率 12300(mW)