| 品牌/商标 | InterFET美国 | 型号/规格 | IRFP264PBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | D/变频换流 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 250V(V) | 夹断电压 | 5(V) |
| 跨导 | 2.3(μS) | 极间电容 | 120(pF) |
| 低频噪声系数 | 250(dB) | 漏极电流 | 38A(mA) |
| 耗散功率 | 28W(mW) |
| IRFP264 |
| TO-247AC Pkg |
| IRFP Series Side 1 IRFP Series Side 2 |
| 500 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET,GaNFET - 单 |
| - |
| MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 标准型 |
| 75 毫欧 @ 23A, 10V |
| 250V |
| 4V @ 250µA |
| 210nC @ 10V |
| 38A |
| 5400pF @ 25V |
| 280W |
| 通孔 |
| TO-247-3 (直引线), TO-247AC |
| 管件 |
品牌/商标 ST 型号/规格 STP75NF75 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 75(V) 夹断电压 757(V) 低频跨导 75(μS) 极间电容 75(pF) 低频噪声系数 75(dB) 漏极电流 75(mA) 耗散功率 12300(mW)
品牌/商标 富士 型号/规格 K2645 封装 TO-220F 批号 09+ 10+ 营销方式 现货 产品性质 热销 处理信号 模拟信号 制作工艺 半导体集成 导电类型 单极型 集成程度 小规模 规格尺寸 5.0(mm) 工作温度 -40~125(℃) 静态功耗 1200(mW) 类型 其他IC