品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFU9120NPBF |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | S/开关 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | IGBT绝缘栅比极 |
开启电压 | 100(V) | 夹断电压 | 01(V) |
跨导 | 01(μS) | 极间电容 | 012(pF) |
低频噪声系数 | 5221(dB) | 漏极电流 | 4242(mA) |
耗散功率 | 42(mW) |
IRFR9120NPbF, IRFU9120NPbF |
DPAK_369D−01 |
75 |
離散半導體產品 |
FET - 單路 |
HEXFET® |
MOSFET P通道,金屬氧化物 |
標準 |
480 毫歐姆 @ 3.9A, 10V |
100V |
6.6A |
4V @ 250µA |
27nC @ 10V |
350pF @ 25V |
40W |
通孔 |
TO-251-3長引線,IPak,TO-251AB |
管裝 |
I-Pak |
*IRFU9120NPBF |
品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 BU406TU 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 200(V) 集电极允许电流ICM 7(A) 集电极耗散功率PCM 60(W) 截止频率fT 10(MHz) 结构 面接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 数据列表BU406(H), 408产品相片TO-220-3 Pkg产品变化通告Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007产品目录绘图Transistor TO-220(AB)标准包装200类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)()7A电压 - 集电极发射极击穿()200VIb、Ic条件下的Vce饱和度()1V @ 500mA, 5A电流 - 集电极截止()5mA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)-功...
品牌/商标 STI美国半导体技术 型号/规格 STP55NF06 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 D/变频换流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55(V) 夹断电压 55(V) 低频跨导 21(μS) 极间电容 25(pF) 低频噪声系数 26(dB) 漏极电流 600(mA) 耗散功率 1250(mW)