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场效应管 IXFH26N50Q 原装进口
信息内容：种类 场效应管 品牌/商标 IXYS 型号/规格 IXFH26N50Q 晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:26A电压, Vds :500V在电阻RDS（上）:200mohm电压 @ Rds???量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V封装类型:TO-247针脚数:3N沟道栅极电荷 Qg:95nC功率, Pd:300W功耗:300W单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J封装类型:TO-247时间, trr 典型值:250ns晶体管数:1晶体管类型:重复雪崩能量 Ear:30mJ温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:26A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:500V电压, Vgs :4V电压变化率 dv/dt:5V/µs电流, Idm 脉冲:104A结温, Tj :-55°C结温, Tj :150°C表面安装器件:通孔安装通态电阻, Rds on :200mohm重量:6g阈值电压, Vgs th :4.5V .
269-3耗尽型MOS管N沟道
信息内容：品牌/商标 ON 型号/规格 269-3 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 本商行代理经销系列大小功率二三极管.场效应管.集成电路.SMD贴片元件.IGBT.电源模块．可控硅．MOS管.基准电源．军工高精密电子元器件．并可为您提供各种电子元器件配套服务.经营的主要品牌包括 ：SILICONI....
