电动车用场效应管 STP75NF75/75NF75
| 价 格： | 2.50 |
| 品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | STP75NF75 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2-4（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 跨导 | 20S（μS） |
| 漏极电流 | 80A（mA） | 耗散功率 | 300W（mW） |
描述
- 晶体管极性:N沟道
- 电流, Id 连续:80A
- 电压, Vds :75V
- 在电阻RDS（上）:11mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
- N沟道栅极电荷 Qg:117nC
- 功率, Pd:300W
- 功耗:300W
- 封装类型:TO-220
- 封装类型, 替代:SOT-78B
- 漏极电流, Id 值:80A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:75V
- 电压, Vds 典型值:75V
- 电压, Vgs Rds N沟道:10V
- 电压, Vgs :3V
- 电压变化率 dv/dt:12V/µs
- 电流, Idm 脉冲:320A
- 结温, Tj :-55°C
- 结温, Tj :175°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:11mohm
- 阈值电压, Vgs th :2V
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
- 传真：755-83200113
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场效应管 FQPF8N60/FQPF8N60C
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQPF8N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 8700（μS） 极间电容 965（pF） 漏极电流 7500（mA） 耗散功率 48000（mW） MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F 描述晶体管极性:N漏极电流, Id 值:7.5A电压, Vds :600V开态电阻, Rds(on):1.2ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs :30V功耗:48W工作温度范围:-55°C to +150°C封装类型:TO-220F针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-et...
MOSFET增强型MOS管N沟道
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQP8N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 跨导 8.7S（μS） 极间电容 965（pF） 漏极电流 7.5A（mA） 耗散功率 147W（mW） 描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:7.5A电压, Vds :600V在电阻RDS（上）:1ohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V工作温度范围:-55°C 到 +150°C封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:147W功耗:147W外宽:10.67mm外部长度/高度:4.83mm封装类型:TO-220晶体...
