场效应管 FQPF8N60/FQPF8N60C
| 价 格： | 2.35 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | FQPF8N60C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2-4（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 低频跨导 | 8700（μS） |
| 极间电容 | 965（pF） | 漏极电流 | 7500（mA） |
| 耗散功率 | 48000（mW） |
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
描述
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 值:7.5A
- 电压, Vds :600V
- 开态电阻, Rds(on):1.2ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs :30V
- 功耗:48W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220F
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 功率, Pd:48W
- 封装类型:TO-220F
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电流, Id 连续:7.5A
- 电流, Idm 脉冲:30A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
- 传真：755-83200113
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MOSFET增强型MOS管N沟道
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQP8N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 跨导 8.7S（μS） 极间电容 965（pF） 漏极电流 7.5A（mA） 耗散功率 147W（mW） 描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:7.5A电压, Vds :600V在电阻RDS（上）:1ohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V工作温度范围:-55°C 到 +150°C封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:147W功耗:147W外宽:10.67mm外部长度/高度:4.83mm封装类型:TO-220晶体...
绝缘型稳压IC KIA7905AP
信息内容：品牌/商标 KEC 型号/规格 KIA7905AP 批号 09+ 封装 TO-220F/TO-220IS 营销方式 现货 产品性质 热销 处理信号 模拟信号 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 集成程度 小规模 工作温度 0~70（℃） 静态功耗 20.8W（mW） 类型 稳压IC
