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MOSFET增强型MOS管N沟道

价 格: 2.35

品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQP8N60C
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源
材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4(V)
夹断电压 0(V) 跨导 8.7S(μS)
极间电容 965(pF) 漏极电流 7.5A(mA)
耗散功率 147W(mW)

描述

  • 晶体管极性:N沟道
  • 电流, Id 连续:7.5A
  • 电压, Vds :600V
  • 在电阻RDS(上):1ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
  • 功率, Pd:147W
  • 功耗:147W
  • 外宽:10.67mm
  • 外部长度/高度:4.83mm
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 漏极电流, Id 值:7.5A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电压, Vgs :30V
  • 电流, Idm 脉冲:30A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on :1.2ohm
  • 阈值电压, Vgs th :4V

深圳市福田区华强广场新原电子销售部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 欧阳立
  • 电话:755-83200113
  • 传真:755-83200113
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