贴片场效应管 IPDH4N03
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | INFINEON | 型号/规格 | IPDH4N03LA |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 夹断电压 | 0（V） |
| 漏极电流 | 90A（mA） |
Standard Package 2,500
Category Discrete Semiconductor Products
Family MOSFETs - Single
Mounting Type Surface Mount
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 90A
Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C 4.2 mOhm @ 60A, 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5199pF @ 15V
Power - Max 115W
Packaging Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 41nC @ 5V
Package / Case TO-252-3-11
Gate to Source Voltage (Vgs Max) 20V
- 所属城市：广东 深圳
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电动车用场效应管 STP75NF75/75NF75
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP75NF75 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 跨导 20S（μS） 漏极电流 80A（mA） 耗散功率 300W（mW） 描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:80A电压, Vds :75V在电阻RDS（上）:11mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:3V封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)N沟道栅极电荷 Qg:117nC功率, Pd:300W功耗:300W封装类型:TO-220封装类型, 替代:SOT-78B漏极电流, Id 值:80A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:75V电压, Vds 典型值:75V电压, Vgs Rds N沟...
场效应管 FQPF8N60/FQPF8N60C
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQPF8N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 8700（μS） 极间电容 965（pF） 漏极电流 7500（mA） 耗散功率 48000（mW） MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F 描述晶体管极性:N漏极电流, Id 值:7.5A电压, Vds :600V开态电阻, Rds(on):1.2ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs :30V功耗:48W工作温度范围:-55°C to +150°C封装类型:TO-220F针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-et...
