场效应三极管
| 价 格： | 30.00 |
| 品牌/商标 | IXYS | 型号/规格 | IXFH26N60Q |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 4.5（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 漏极电流 | 26A（mA） |
| 耗散功率 | 360W（mW） |
描述
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 值:26A
- 电压, Vds :600V
- 开态电阻, Rds(on):0.25ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs :20V
- 功耗:360W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-247
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:150nC
- 功率, Pd:360W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J
- 封装类型:TO-247
- 时间, trr 典型值:250ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 重复雪崩能量 Ear:45mJ
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电压变化率 dv/dt:5V/ns
- 电流, Id 连续:26A
- 电流, Idm 脉冲:104A
- 结温, Tj :-55°C
- 结温, Tj :150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on :0.25ohm
- 重量:6g
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 阈值电压, Vgs th :4.5V
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
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贴片场效应管 IPDH4N03
信息内容：品牌/商标 INFINEON 型号/规格 IPDH4N03LA 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 夹断电压 0（V） 漏极电流 90A（mA） Standard Package 2,500 Category Discrete Semiconductor Products Family MOSFETs - Single Mounting Type Surface Mount FET Type N-Channel Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C 4.2 mOhm @ 60A, 10V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5199pF @ 15V Power - Max 115W Packaging Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) @ Vgs 41nC @ 5V Package / Case TO-252-3-11 Gate to Source Voltage (Vgs Max) 20V
电动车用场效应管 STP75NF75/75NF75
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP75NF75 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 跨导 20S（μS） 漏极电流 80A（mA） 耗散功率 300W（mW） 描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:80A电压, Vds :75V在电阻RDS（上）:11mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:3V封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)N沟道栅极电荷 Qg:117nC功率, Pd:300W功耗:300W封装类型:TO-220封装类型, 替代:SOT-78B漏极电流, Id 值:80A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:75V电压, Vds 典型值:75V电压, Vgs Rds N沟...
