电源三极管.MOS管。肖特基。整流管
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | INFINEON/英飞凌 | 型号/规格 | SPA07N60C3.FQPF4N60C.MBR20100CT |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-FBM/全桥组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 600（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 2（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 10（mA） |
| 耗散功率 | 50（mW） |
欢迎你的来访：本商行专营欧洲国家.美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家；
场效应.肖特基，快恢复，三端稳压，功率管，可控硅，等系列晶体管，货源充足，现货供应。
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主营三极管厂家::
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东芝IGBT:GT25Q101 GT60M301
信息内容：品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 GT25Q101 GT60M301 应用范围 功率 功率特性 大功率 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 截止频率fT 12（MHz） 集电极允许电流ICM 25-60（A） 集电极耗散功率PCM 250（W） 营销方式 现货 产品性质 热销 GT60M301 GT60M303 GT60M104 GT40M101 GT50J101 GT50J102 GT50J301 GT50J322 GT25Q101 GT15Q101 GT8Q101 GT25H101 GT15J101.......型号繁多，未能尽列。欢迎来人来电垂询 公司专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形； 场效应，肖特基，快恢复，三端稳压，功率...
现货2SK2223.2SK2224.2SK2417
信息内容：品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 2SK2223.2SK2224.2SK2147.2SK1217 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 500（V） 夹断电压 400（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
