现货2SK2223.2SK2224.2SK2417
| 价 格： | 4.00 |
| 品牌/商标 | FUI日本富士通 | 型号/规格 | 2SK2223.2SK2224.2SK2147.2SK1217 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-ARR/陈列组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 500（V） | 夹断电压 | 400（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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整流，肖特基40CPQ100.40CPQ045
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 40CPQ100.40CPQ045.30CPQ10 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 45-100（V） 夹断电压 45-100（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
IGBT管600V.G20N60A4D.G30N60A4D
信息内容：品牌/商标 HAR美国哈里斯半导体 型号/规格 HGTG20N60A4D.G20N60B3D.G30N60B3D.G12N60A4D.G40N60A4.G30N60C3D 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 600（V） 跨导 11（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 100（mA） 耗散功率 100（mW）
