IGBT管600V.G20N60A4D.G30N60A4D
| 价 格： | 6.00 |
| 品牌/商标 | HAR美国哈里斯半导体 | 型号/规格 | HGTG20N60A4D.G20N60B3D.G30N60B3D.G12N60A4D.G40N60A4.G30N60C3D |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 600（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 跨导 | 11（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 100（mA） |
| 耗散功率 | 100（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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贴片IR场效应:IRL7833S.IRF1404S
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRL7833S.IRF1404S.IRL3803S.IRF3205S.IRF640NS 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 N（V） 夹断电压 N（V） 低频跨导 N（μS） 极间电容 N（pF） 低频噪声系数 N（dB） 漏极电流 N（mA） 耗散功率 N（mW）
MOS东芝2SK3569,K2843
信息内容：品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 2SK2843.2SK2717.2SK2842.2SK3568.2SK3569 应用范围 功率 功率特性 中功率 极性 NPN型 结构 平面型 材料 锗(Ge) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 12（MHz） 集电极允许电流ICM 12（A） 集电极耗散功率PCM 80（W） 营销方式 现货 产品性质 热销 供应2SK537 K792 K2717 K2842 K2843三极管公司专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形； 场效应，肖特基，快恢复，三端稳压，功率管，可控硅，等系列晶体管，货源充足，现货供应。本公司以“品质、诚信为本”的经营理念，十多年来深受国内外...
