东芝IGBT:GT25Q101 GT60M301
| 价 格： | 15.00 |
| 品牌/商标 | TOSHIBA东芝 | 型号/规格 | GT25Q101 GT60M301 |
| 应用范围 | 功率 | 功率特性 | 大功率 |
| 极性 | NPN型 | 结构 | 点接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 金属封装 | 截止频率fT | 12（MHz） |
| 集电极允许电流ICM | 25-60（A） | 集电极耗散功率PCM | 250（W） |
| 营销方式 | 现货 | 产品性质 | 热销 |
GT60M301 GT60M303 GT60M104 GT40M101 GT50J101 GT50J102 GT50J301 GT50J322 GT25Q101 GT15Q101 GT8Q101 GT25H101 GT15J101.......型号繁多，未能尽列。欢迎来人来电垂询
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现货2SK2223.2SK2224.2SK2417
信息内容：品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 2SK2223.2SK2224.2SK2147.2SK1217 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 500（V） 夹断电压 400（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
整流，肖特基40CPQ100.40CPQ045
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 40CPQ100.40CPQ045.30CPQ10 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 45-100（V） 夹断电压 45-100（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
