2SK1169-2SK1170.2SK1518.2SK1516功率三极管
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | Hitachi日立 | 型号/规格 | 2SK1162-2SK1170. |
| 应用范围 | 功率 | 功率特性 | 中功率 |
| 频率特性 | 高频 | 极性 | NPN型 |
| 结构 | 扩散型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 金属封装 |
| 截止频率fT | 12（MHz） | 集电极允许电流ICM | 10-20（A） |
| 集电极耗散功率PCM | 150（W） | 营销方式 | 现货 |
| 产品性质 | 热销 |
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| 2SK1161 | 日立 | TO； 3P | 02+ | 3400 |
| 2SK1162 | 日立 | TO； 3P | 02+ | 3400 |
| 2SK1165 | 日立 | TO； 3P | 02+ | 3400 |
| 2SK1167 | 日立 | TO； 3P | 02+ | 3400 |
| 2SK1168 | 日立 | TO； 3P | 02+ | 3400 |
| 2SK1169 | 日立 | TO； 3P | 02+ | 3400 |
| 2SK1170 | 日立 | TO； 3P | 02+ | 3400 |
- 所属城市：广东 深圳
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电源三极管.MOS管。肖特基。整流管
信息内容：品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 SPA07N60C3.FQPF4N60C.MBR20100CT 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 600（V） 跨导 1（μS） 极间电容 2（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 10（mA） 耗散功率 50（mW） 欢迎你的来访：本商行专营欧洲国家.美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家； 场效应.肖特基，快恢复，三端稳压，功率管，可控硅，等系列晶体管，货源充足，现...
东芝IGBT:GT25Q101 GT60M301
信息内容：品牌/商标 TOSHIBA东芝 型号/规格 GT25Q101 GT60M301 应用范围 功率 功率特性 大功率 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 截止频率fT 12（MHz） 集电极允许电流ICM 25-60（A） 集电极耗散功率PCM 250（W） 营销方式 现货 产品性质 热销 GT60M301 GT60M303 GT60M104 GT40M101 GT50J101 GT50J102 GT50J301 GT50J322 GT25Q101 GT15Q101 GT8Q101 GT25H101 GT15J101.......型号繁多，未能尽列。欢迎来人来电垂询 公司专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形； 场效应，肖特基，快恢复，三端稳压，功率...
