IGBT富士通 功率三极管
| 价 格： | 15.00 |
| 品牌/商标 | 富士通 | 型号/规格 | 1MBH75D-060S.1MBH50D-060 |
| 应用范围 | 功率 | 功率特性 | 大功率 |
| 频率特性 | 超高频 | 极性 | NPN型 |
| 结构 | 平面型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 金属封装 |
| 截止频率fT | 1（MHz） | 集电极允许电流ICM | 75-50（A） |
| 集电极耗散功率PCM | 350（W） | 营销方式 | 现货 |
| 产品性质 | 新品 |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 洪伟钿
- 电话：0755-83013722
- 传真：0755-83013722
- 手机：
- QQ ：
2SK1169-2SK1170.2SK1518.2SK1516功率三极管
信息内容：品牌/商标 Hitachi日立 型号/规格 2SK1162-2SK1170. 应用范围 功率 功率特性 中功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 扩散型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 截止频率fT 12（MHz） 集电极允许电流ICM 10-20（A） 集电极耗散功率PCM 150（W） 营销方式 现货 产品性质 热销 欢迎你的来访：本商行专营美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家常形； 场效应，肖特基，快恢复，三端稳压，功率管，可控硅，等系列晶体管，货源充足，现货供应。本公司以“品质、诚信为本”的经营理念...
电源三极管.MOS管。肖特基。整流管
信息内容：品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 SPA07N60C3.FQPF4N60C.MBR20100CT 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 600（V） 跨导 1（μS） 极间电容 2（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 10（mA） 耗散功率 50（mW） 欢迎你的来访：本商行专营欧洲国家.美国、日本、韩国、台湾等世界各名厂家； 场效应.肖特基，快恢复，三端稳压，功率管，可控硅，等系列晶体管，货源充足，现...
