P沟MOSF管NDS356AP
| 价 格： | 2.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | NDS356AP |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 30（V） |
| 夹断电压 | 10（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET
| NDS356AP |
| SOT-23-3 |
| High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| SuperSOT-3, SOT-23 |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 200 毫欧 @ 1.3A, 10V |
| 30V |
| 1.1A |
| 2.5V @ 250µA |
| 4.4nC @ 5V |
| 280pF @ 10V |
| 460mW |
| 表面贴装 |
| TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 带卷 (TR) |
| 3-SSOT |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管FDS5670
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 FDS5670 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DIFF/差分放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 60（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 数据列表FDS5670产品相片8-SOIC产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Power MOSFET, 8-SOP, ...
N沟MOSF管FDS2582
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 FDS2582 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 150（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 数据列表FDS2582产品相片8-SOIC产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Cu Wirebond Change 12/Oct/2007Mold Compound Change 12/Dec/2007标准包装2,500类别分离式半导体产...
