长期批发优质进口拆机场效应管K1936，2SK1936
| 价 格： | 1.20 |
| 品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | K1936，2SK1936 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MW/微波 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GaAS-FET砷化镓 |
| 开启电压 | n（V） | 夹断电压 | n（V） |
| 跨导 | n（μS） | 极间电容 | n（pF） |
| 低频噪声系数 | n（dB） | 漏极电流 | n（mA） |
| 耗散功率 | n（mW） |
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批发IR、ST、MOT、NEC、仙童、富士通、东芝、三菱、松下、乐松、红宝石、黑金刚、三星、飞利浦等世界的拆机二极管、拆机三极管、拆机场效应管、拆机桥堆、可控硅、肖特基、达林顿、三端稳压、快速整流及各类电容器。品种全、质量优、价格实、货源足。
产品应用领域广，如开关电源、适配器、控制器、变频器、逆变器、防盗器、电视机、电磁炉、功放、电子玩具、节能灯、变焊机、电焊机、工业传动装置、电梯及其它辅助传动设备等等。根据客户订单要求，可为产品进行加工：接脚、翻新。每个产品在发货前，都经过严格的检测。
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优质原字拆机场效应管K2655，2SK2655
信息内容：品牌/商标 富士通 型号/规格 K2655，2SK2655 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 n（V） 夹断电压 n（V） 跨导 n（μS） 极间电容 n（pF） 低频噪声系数 n（dB） 漏极电流 n（mA） 耗散功率 n（mW） K2655，2SK2655 K2655，2SK2655 K2655，2SK2655 K2655，2SK2655 K2655，2SK2655 K2655，2SK2655 K2655，2SK2655 K2655，2SK2655 K2655，2SK2655 K2655，2SK2655 K2655，...
拆机场效应管IRF520，结型场效应管N沟道
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF520 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 n（V） 夹断电压 n（V） 跨导 n（μS） 极间电容 n（pF） 低频噪声系数 n（dB） 漏极电流 n（mA） 耗散功率 n（mW）
