拆机场效应管IRF520，结型场效应管N沟道
| 价 格： | 0.13 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF520 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MW/微波 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | n（V） | 夹断电压 | n（V） |
| 跨导 | n（μS） | 极间电容 | n（pF） |
| 低频噪声系数 | n（dB） | 漏极电流 | n（mA） |
| 耗散功率 | n（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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拆机场效应管IRF634，N沟道
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF634 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 n（V） 夹断电压 n（V） 跨导 n（μS） 极间电容 n（pF） 低频噪声系数 n（dB） 漏极电流 n（mA） 耗散功率 n（mW） IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 I...
大量库存测好进口原字拆机场效应管K2645,2SK2645
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K2645,2SK2645 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 S/开关 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 n（V） 夹断电压 n（V） 跨导 n（μS） 极间电容 n（pF） 低频噪声系数 n（dB） 漏极电流 n（mA） 耗散功率 n（mW） K2645,2SK2645 K2645,2SK2645 K2645,2SK2645 K2645,2SK2645 K2645,2SK2645 K2645,2SK2645 K2645,2SK2645 K2645,2SK2645 K2645,2SK2645 K2645,2SK2645 K2645,2SK2645 ...
