优质原字拆机场效应管K2655，2SK2655
| 价 格： | 1.80 |
| 品牌/商标 | 富士通 | 型号/规格 | K2655，2SK2655 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MW/微波 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | n（V） | 夹断电压 | n（V） |
| 跨导 | n（μS） | 极间电容 | n（pF） |
| 低频噪声系数 | n（dB） | 漏极电流 | n（mA） |
| 耗散功率 | n（mW） |
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批发IR、ST、MOT、NEC、仙童、富士通、东芝、三菱、松下、乐松、红宝石、黑金刚、三星、飞利浦等世界的拆机二极管、拆机三极管、拆机场效应管、拆机桥堆、可控硅、肖特基、达林顿、三端稳压、快速整流及各类电容器。品种全、质量优、价格实、货源足。
产品应用领域广，如开关电源、适配器、控制器、变频器、逆变器、防盗器、电视机、电磁炉、功放、电子玩具、节能灯、变焊机、电焊机、工业传动装置、电梯及其它辅助传动设备等等。根据客户订单要求，可为产品进行加工：接脚、翻新。每个产品在发货前，都经过严格的检测。
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拆机场效应管IRF520，结型场效应管N沟道
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF520 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 n（V） 夹断电压 n（V） 跨导 n（μS） 极间电容 n（pF） 低频噪声系数 n（dB） 漏极电流 n（mA） 耗散功率 n（mW）
拆机场效应管IRF634，N沟道
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF634 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 n（V） 夹断电压 n（V） 跨导 n（μS） 极间电容 n（pF） 低频噪声系数 n（dB） 漏极电流 n（mA） 耗散功率 n（mW） IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 IRF634 I...
