品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | C5287 |
应用范围 | 功率 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | NPN型 | 集电极允许电流ICM | n(A) |
集电极耗散功率PCM | n(W) | 截止频率fT | n(MHz) |
结构 | 点接触型 | 封装形式 | 直插型 |
封装材料 | 塑料封装 |
品牌/商标 进口 型号/规格 K1936,2SK1936 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 n(V) 夹断电压 n(V) 跨导 n(μS) 极间电容 n(pF) 低频噪声系数 n(dB) 漏极电流 n(mA) 耗散功率 n(mW) K1936,2SK1936 K1936,2SK1936 K1936,2SK1936 K1936,2SK1936 K1936,2SK1936 K1936,2SK1936 K1936,2SK1936 K1936,2SK1936 K1936,2SK1936 K1936,2SK1936 K1936,...
品牌/商标 富士通 型号/规格 K2655,2SK2655 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 n(V) 夹断电压 n(V) 跨导 n(μS) 极间电容 n(pF) 低频噪声系数 n(dB) 漏极电流 n(mA) 耗散功率 n(mW) K2655,2SK2655 K2655,2SK2655 K2655,2SK2655 K2655,2SK2655 K2655,2SK2655 K2655,2SK2655 K2655,2SK2655 K2655,2SK2655 K2655,2SK2655 K2655,2SK2655 K2655,...