场效应管 FQPF5N60C/FQPF5N60
| 价 格： | 1.62 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | FQPF5N60C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2-4（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 低频跨导 | 4700（μS） |
| 极间电容 | 515（pF） | 漏极电流 | 4.5A（mA） |
| 耗散功率 | 33W（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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场效应三极管
信息内容：品牌/商标 IXYS 型号/规格 IXFH26N60Q 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 4.5（V） 夹断电压 0（V） 漏极电流 26A（mA） 耗散功率 360W（mW） 描述晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 值:26A电压, Vds :600V开态电阻, Rds(on):0.25ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs :20V功耗:360W工作温度范围:-55°C to +150°C封装类型:TO-247针脚数:3N沟道栅极电荷 Qg:150nC功率, Pd:360W单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J封装类型:TO-247时间, trr 典型值:250ns晶体管数:1晶体管类型:MOSFET重复雪崩能量 Ear:45mJ温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds ...
贴片场效应管 IPDH4N03
信息内容：品牌/商标 INFINEON 型号/规格 IPDH4N03LA 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 夹断电压 0（V） 漏极电流 90A（mA） Standard Package 2,500 Category Discrete Semiconductor Products Family MOSFETs - Single Mounting Type Surface Mount FET Type N-Channel Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 90A Rds On (Max) @ Id, Vgs @ 25° C 4.2 mOhm @ 60A, 10V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5199pF @ 15V Power - Max 115W Packaging Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) @ Vgs 41nC @ 5V Package / Case TO-252-3-11 Gate to Source Voltage (Vgs Max) 20V
