特点:-30V/-4.6A ,
RDS(ON)=52mW(typ.) @ VGS=-10V
RDS(ON)=80mW(typ.) @ VGS=-4.5V
超高密度的单元设计可靠和坚固的无铅andgreendevices可用(符合)
应用程序:
笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电系统
一般描述:这些N沟道MOSFET使用飞兆半导体的先进powertrench过程。它已被优化的电源管理应用范围广泛的栅驱动电压(道–10 V)。应用程序:电池保护负荷开关电源管理特点: 6.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.030 Ω @ VGS = 4.5 VRDS(ON) = 0.043 Ω @ VGS = 2.5 V.优化用于电池保护电路±10vgss允许工作电压范围宽低门电荷
一般描述:这些N沟道MOSFET使用飞兆半导体的先进powertrench过程。它已被优化的电源管理应用范围广泛的栅驱动电压(道–10 V)。应用程序:电池保护负荷开关电源管理特点: 6.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.030 Ω @ VGS = 4.5 VRDS(ON) = 0.043 Ω @ VGS = 2.5 V.优化用于电池保护电路±10vgss允许工作电压范围宽低门电荷