一般描述:
这些N沟道MOSFET使用飞兆半导体的先进powertrench过程。它已被优化的电源管理应用范围广泛的栅驱动电压(道–10 V)。
应用程序:
电池保护
负荷开关
电源管理
特点: 6.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.030 Ω @ VGS = 4.5 V
RDS(ON) = 0.043 Ω @ VGS = 2.5 V.
优化用于电池保护电路
±10vgss允许工作电压范围宽
低门电荷
一般描述:这些N沟道MOSFET使用飞兆半导体的先进powertrench过程。它已被优化的电源管理应用范围广泛的栅驱动电压(道–10 V)。应用程序:电池保护负荷开关电源管理特点: 6.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.030 Ω @ VGS = 4.5 VRDS(ON) = 0.043 Ω @ VGS = 2.5 V.优化用于电池保护电路±10vgss允许工作电压范围宽低门电荷
●超高密度细胞设计低策略(上)●坚固和可靠的●简单的驱动要求●SOT23-5封装