一般描述:
这些N沟道MOSFET使用飞兆半导体的先进powertrench过程。它已被优化的电源管理应用范围广泛的栅驱动电压(道–10 V)。
应用程序:
电池保护
负荷开关
电源管理
特点: 6.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.030 Ω @ VGS = 4.5 V
RDS(ON) = 0.043 Ω @ VGS = 2.5 V.
优化用于电池保护电路
±10vgss允许工作电压范围宽
低门电荷
●超高密度细胞设计低策略(上)●坚固和可靠的●简单的驱动要求●SOT23-5封装
这个装置将2个P沟道增强模式场效应管电源所产生的高密度,中间沟技术,特别是用于减少通态电阻。此设备是特别适合低电压应用等便携设备,电源管理和其他电池供电电路,以及低线功率损耗是需要在一个非常小外形表面贴装封装。应用:液晶面板电源开关;高侧直流/直流转换器高侧驱动器直流无刷电机手提电脑,数码相框