APM9435是P沟道增强模式的逻辑场效应晶体管,采用高密度,中间沟技术。这个过程是特别适合高密度减少通态电阻。这些器件特别适用于低电压应用诸如蜂窝电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池供电电路,以及低线功率损耗,需要在小外形表面贴装封装。
特点:-30V/-4.6A ,RDS(ON)=52mW(typ.) @ VGS=-10VRDS(ON)=80mW(typ.) @ VGS=-4.5V超高密度的单元设计可靠和坚固的无铅andgreendevices可用(符合)应用程序:笔记本电脑的电源管理,便携式设备和电池供电系统
一般描述:这些N沟道MOSFET使用飞兆半导体的先进powertrench过程。它已被优化的电源管理应用范围广泛的栅驱动电压(道–10 V)。应用程序:电池保护负荷开关电源管理特点: 6.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.030 Ω @ VGS = 4.5 VRDS(ON) = 0.043 Ω @ VGS = 2.5 V.优化用于电池保护电路±10vgss允许工作电压范围宽低门电荷