这个装置是一个P沟道增强模式场效应管是生产高密度和中间沟技术。该装置特别适合低电压应用,特别是电池供电电路,微型和薄型节省印刷电路板消费。
P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features VDS耐压为30V,VGS耐压为25V,提供的连续电流为4.2A
移动电源、便携式电源专用MOSFET 低阻抗30V Dual P-Channel MOSFET VDS (V) = -30VID (VGS = -10V)= -3ARDS(ON)<88mΩ @ VGS= -10VRDS(ON)<105mΩ @ VGS= -4.5VSOT23-6L Package