移动电源、便携式电源专用MOSFET 低阻抗
30V Dual P-Channel MOSFET
VDS (V) = -30V
ID (VGS = -10V)= -3A
RDS(ON)<88mΩ @ VGS= -10V
RDS(ON)<105mΩ @ VGS= -4.5V
SOT23-6L Package
z3491A采用先进的沟技术 提供优良的低门电荷。这 装置适合作为负荷开关或脉宽调制 应用程序。标准z3491无铅产品。VDS -20ID (at VGS=20V) -3.0ARDS(ON) (at VGS=-2.5V) < 115mWRDS(ON) (at VGS =-4.5V) < 85m W
ssc8k23gn2结合一个P沟道增强模式功率是生产高密度和优化沟道技术和低正向电压肖特基二极管。小和薄轮廓节省印刷电路板消费。