P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features VDS耐压为30V,VGS耐压为25V,提供的连续电流为4.2A
移动电源、便携式电源专用MOSFET 低阻抗30V Dual P-Channel MOSFET VDS (V) = -30VID (VGS = -10V)= -3ARDS(ON)<88mΩ @ VGS= -10VRDS(ON)<105mΩ @ VGS= -4.5VSOT23-6L Package
z3491A采用先进的沟技术 提供优良的低门电荷。这 装置适合作为负荷开关或脉宽调制 应用程序。标准z3491无铅产品。VDS -20ID (at VGS=20V) -3.0ARDS(ON) (at VGS=-2.5V) < 115mWRDS(ON) (at VGS =-4.5V) < 85m W