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先进的沟槽工艺技术超低电阻高密度的单元设计高功率和电流移交能力充分的特点
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先进的沟槽工艺技术超低电阻高密度的单元设计高功率和电流移交能力充分的特点VDS (V) = 20VID = 3.7A (VGS = 12V)RDS(ON) < 50mW (VGS = 4.5V)RDS(ON) < 65mW (VGS = 2.5V)
Z8811采用了先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和操作栅极电压低至1.8V。此设备适合作为负荷开关或PWM应用中使用。这是ESD保护。
供应功放集成电路TDA2003
供应NXP集成电路74LCX08MTCX
供应TI集成电路ULN2003集成电路
供应集成电路AAT3215IGV-2.8-T1
供应LT集成电路LT1083CP
供应ON集成电路NCP3063DR2G
供应茂达集成电路APM3055L