先进的沟槽工艺技术
超低电阻高密度的单元设计
高功率和电流移交能力
充分的特点
VDS (V) = 20V
ID = 3.7A (VGS = 12V)
RDS(ON) < 50mW (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 65mW (VGS = 2.5V)
Z8811采用了先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和操作栅极电压低至1.8V。此设备适合作为负荷开关或PWM应用中使用。这是ESD保护。
先进的沟槽工艺技术超低电阻高密度的单元设计高功率和电流移交能力充分的特点VDS (V) = 20VID = 5.7A (VGS = 12V)RDS(ON) < 25mΩ (VGS = 4.5V)RDS(ON) < 35mΩ (VGS = 2.5V)