Z8811采用了先进的沟槽技术,提供
优良的RDS(ON),低栅极电荷和操作
栅极电压低至1.8V。此设备适合
作为负荷开关或PWM应用中使用。这是ESD
保护。
先进的沟槽工艺技术超低电阻高密度的单元设计高功率和电流移交能力充分的特点VDS (V) = 20VID = 5.7A (VGS = 12V)RDS(ON) < 25mΩ (VGS = 4.5V)RDS(ON) < 35mΩ (VGS = 2.5V)
Z1500是P沟道增强型功率MOSFET是生产高密度和DMOS沟槽技术,该设备特别适合低电压应用,尤其是电池供电电路,小而薄的轮廓,节省PCB消费。Z1500是电动相同。VDSID (at VGS=-4.5 V) -1.6ARDS(ON) (at VGS=-4.5V) < 155mWRDS(ON) (at VGS =-2.5V) < 168mW