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场效应管 FQPF5N60C/FQPF5N60
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQPF5N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 4700（μS） 极间电容 515（pF） 漏极电流 4.5A（mA） 耗散功率 33W（mW）
场效应三极管
信息内容：品牌/商标 IXYS 型号/规格 IXFH26N60Q 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 4.5（V） 夹断电压 0（V） 漏极电流 26A（mA） 耗散功率 360W（mW） 描述晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 值:26A电压, Vds :600V开态电阻, Rds(on):0.25ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs :20V功耗:360W工作温度范围:-55°C to +150°C封装类型:TO-247针脚数:3N沟道栅极电荷 Qg:150nC功率, Pd:360W单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J封装类型:TO-247时间, trr 典型值:250ns晶体管数:1晶体管类型:MOSFET重复雪崩能量 Ear:45mJ温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds ...
