SE4606 场效应管 N+P沟道 SOP8封装
| 价 格： | 0.10 |
| 品牌/商标 | SINO-IC | 型号/规格 | SE4606 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 20（V） | 夹断电压 | 30（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 8.5（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
| N+P Channel Product | |||||||||
| Part No. | Package | Configuration | Vds | Vgs (±) | ID | Rds(on) / Ohm max | |||
| 10V | 4.5V | 2.5V | 1.8V | ||||||
| SE2312 | TSSOP6 | N+P | 20 | 8 | 2.3 | 60m | 115m | 130m | |
| -20 | -8 | 2.2 | 0.1 | 0.15 | |||||
| SE4606 | SOP8 | N+P | 30 | 20 | 8.5 | 26m | 40m | ||
| -30 | -20 | -5 | 53m | 85m | |||||
| SCHOTTKY+P Channel Product | |||||||||
| Part No. | Package | Configuration | Vds | Vgs (±) | ID | Rds(on) / Ohm max | |||
| 10V | 4.5V | 2.5V | 1.8V | ||||||
| SED5853 | DFN3*2 | SCKY+P | -20 | 8 | -3.4 | 90m | 0.12 | 0.16 | |
| SED5852 | DFN2*2 | SCKY+P | -20 | 8 | -2.3 | 0.14 | 0.2 | ||
| N Channel Product(High voltage) | |||||||||
| Part No. | Package | Configuration | Vds | Vgs (±) | ID | Rds(on) / Ohm max | |||
| 10V | 4.5V | 2.5V | 1.8V | ||||||
| SE60N03 | TO252/TO251 | Single-N | 30 | 20 | 60 | 6.8m | 13m | ||
| SE90N03 | TO252/TO251 | Single-N | 30 | 20 | 90 | 4.8m | 9m | ||
| SE70N06 | TO252/TO251 | Single-N | 60 | 20 | 70 | 12m | |||
| SE260 | TO252/TO251 | Single-N | 75 | 20 | 45 | 22m | |||
| SE75N80 | TO220(F) | Single-N | 80 | 20 | 75 | 11m | |||
| SE630 | TO220(F) | Single-N | 200 | 30 | 9 | 400m | |||
| SE640 | TO220(F) | Single-N | 200 | 30 | 18 | 180m | |||
| SE1N60 | TO252 | Single-N | 600 | 30 | 1.3 | 9 | |||
| SE2N60 | TO252,TO220(F) | Single-N | 600 | 30 | 2 | 4.4 | |||
| SE3N60 | TO220(F) | Single-N | 600 | 30 | 2.5 | 3.5 | |||
| SE4N60 | TO252,TO220(F) | Single-N | 600 | 30 | 4 | 2.2 | |||
| SE5N60 | TO252,TO220(F) | Single-N | 600 | 30 | 5 | 1.8 | |||
| SE6N60 | TO220(F) | Single-N | 600 | 30 | 6 | 1.6 | |||
| SE7N60 | TO220(F) | Single-N | 600 | 30 | 7 | 1.2 | |||
| SE10N60 | TO220(F) | Single-N | 600 | 30 | 10 | 0.75 | |||
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主要类目:1、TVS/ESD保护器件2、场效应管 3、稳压管、4、肖特基二极管 5、AC-DC IC 6、霍尔IC 7、LED开路保护器件 8、二三极管
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场效应管SE2N7002 光宇睿芯
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE2N7002 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SP/特殊外形 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 60（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 500（mA） 耗散功率 1（mW） Part No.Package ConfigurationVdsVgs (±)IDRds(on) / Ohm max10V4.5V2.5V1.8VSE2N7002ESOT523Single-N60200.52.03.0 SHANGHAI July 2008MICROELECTRONICSCO...
场效应管SE3400 N沟道 SOT-23封装 SINO-IC
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE3400 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 12（V） 夹断电压 30（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 5800（mA） 耗散功率 1（mW） SHANGHAI July 2008MICROELECTRONICSCO., LTD. SE3400 Revision:A5.8A,30V N-Channel MOSFET General DescriptionThe MOSFETs from SINO-IC provide the best combination...
