IR全系列 场效应管 IRFB4332PBF IRFB4332 原装现货
| 价 格： | 0.10 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFB4332 PBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 250（V） | 极间电容 | 5860（pF） |
| 漏极电流 | 60（mA） | 耗散功率 | 390（mW） |
| IRFB4332PbF |
| TO-220AB Pkg |
| IR Hexfet TO-220AB |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 33 毫欧 @ 35A, 10V |
| 250V |
| 60A |
| 5V @ 250µA |
| 150nC @ 10V |
| 5860pF @ 25V |
| 390W |
| 通孔 |
| TO-220-3 |
| 管件 |
| TO-220AB |
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ST意法半导体场效应管STP9NK70ZFP
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP9NK70ZFP 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DUAL/配对管 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 700（V） 极间电容 1370（pF） 漏极电流 7.5（mA） 耗散功率 35（mW） 数据列表STx9NK70Z(FP,-1)产品相片TO-220FP Pkg标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列SuperMESH™FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 4A, 10V漏极至源极电压(Vdss)700V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.5AId 时的 Vgs(th)（）4.5V @ 100µA闸电荷(Qg) @ Vgs68nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(...
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